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車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證機(jī)構(gòu)

文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間:2025-06-24 瀏覽數(shù)量:

MOSFET AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)介紹

優(yōu)科檢測(cè)認(rèn)證是一家專業(yè)的第三方AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試機(jī)構(gòu),具備汽車電子委員會(huì)(AEC)制定的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)CNAS全項(xiàng)檢測(cè)資質(zhì)和檢測(cè)能力,為二極管、TVS管、MOSFET、IGBT等分立半導(dǎo)體器件提供一站式AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試服務(wù)。

我們的實(shí)驗(yàn)室配備高溫高濕試驗(yàn)箱、高加速壽命試驗(yàn)系統(tǒng)(HALT)、振動(dòng)沖擊測(cè)試臺(tái)、ESD測(cè)試儀等多種先進(jìn)設(shè)備,能夠覆蓋AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中所有環(huán)境應(yīng)力實(shí)驗(yàn)、參數(shù)驗(yàn)證和工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)項(xiàng)目。


SiC-MOSFET器件AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證.jpg


車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證的目的及必要性

車規(guī)級(jí)MOSFET需要在高溫、潮濕、振動(dòng)、電壓沖擊等極端環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行,未經(jīng)可靠性認(rèn)證的器件可能引發(fā)功率開關(guān)失效、短路、擊穿等隱患,甚至造成整車系統(tǒng)癱瘓。

AEC-Q101認(rèn)證以失效機(jī)理為基礎(chǔ),通過(guò)嚴(yán)苛的環(huán)境應(yīng)力和電性能測(cè)試,確保車規(guī)分立半導(dǎo)體器件具備高可靠性和一致性,為汽車制造商提供統(tǒng)一的質(zhì)量準(zhǔn)入門檻。


車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q101全稱“Failure Mechanism Based Stress Test Qualification for Discrete Semiconductors in Automotive Applications”,最新Rev E版本于2021年3月發(fā)布,共涵蓋37項(xiàng)測(cè)試,根據(jù)器件類型和封裝形式分為五大組:

1. 組A 加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)(如HAST、H3TRB、UHAST、高壓蒸煮等)

2. 組B 加速壽命模擬測(cè)試(如高溫工作壽命、溫度循環(huán)、電壓循環(huán)等)

3. 組C 封裝結(jié)構(gòu)完整性測(cè)試(如氣密性、振動(dòng)、沖擊等)

4. 組D 芯片制造可靠性測(cè)試(如參數(shù)驗(yàn)證、功率溫度循環(huán)、雪崩耐量、短路可靠性等)

5. 組E 電氣特性確認(rèn)測(cè)試(如ESD、DPA、端子強(qiáng)度、可焊性、耐焊接熱試驗(yàn)等)


車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試實(shí)驗(yàn)室


車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證檢測(cè)項(xiàng)目及要求

以下列舉MOSFET認(rèn)證中的典型測(cè)試項(xiàng)目及其關(guān)鍵要求:

1. 高加速應(yīng)力測(cè)試(HAST)

- 標(biāo)準(zhǔn):JESD22 A-110

- 條件:Ta=130 °C、RH=85%、V\_DS=96 V(G-S短接)、96 小時(shí)


2. 高溫高濕反向偏壓(H3TRB)

- 標(biāo)準(zhǔn):JESD22 A-101

- 條件:Ta=85 °C、RH=85%、V\_DS=80% 額定電壓、1000 小時(shí)


3. 溫度循環(huán)測(cè)試(TC)

- 標(biāo)準(zhǔn):JESD22 A-104

- 條件:-55 °C至150 °C循環(huán)500 次,功率循環(huán)評(píng)估


4. 雪崩耐量測(cè)試(SOA)

- 評(píng)估擊穿電壓及雪崩能量承受能力,確保短路及瞬態(tài)過(guò)壓情況下的穩(wěn)定性


5. ESD和HBM測(cè)試

- 標(biāo)準(zhǔn):ANSI/ESDA/JEDEC JS-001

- 要求:±2 kV接觸放電、±4 kV空氣放電

更多項(xiàng)目及詳細(xì)條件,請(qǐng)聯(lián)系優(yōu)科檢測(cè)獲取完整測(cè)試手冊(cè)。


車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試機(jī)構(gòu)


車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試報(bào)告辦理流程

1. 咨詢下單:客戶提供樣品參數(shù)、型號(hào)及檢測(cè)需求;我司出具測(cè)試方案及報(bào)價(jià)。

2. 協(xié)議簽訂:雙方確認(rèn)測(cè)試項(xiàng)目、時(shí)間節(jié)點(diǎn)及報(bào)告格式后簽訂服務(wù)合同。

3. 樣品寄送:客戶將樣品寄至我司實(shí)驗(yàn)室,確保樣品完好。

4. 方案執(zhí)行:按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行項(xiàng)目測(cè)試。

5. 數(shù)據(jù)分析:測(cè)試完成后,工程師對(duì)所有數(shù)據(jù)進(jìn)行整理、對(duì)比與評(píng)估。

6. 報(bào)告發(fā)放:出具CNAS測(cè)試報(bào)告,報(bào)告內(nèi)附測(cè)試數(shù)據(jù)、判定準(zhǔn)則及結(jié)論。

7. 后續(xù)支持:提供技術(shù)解讀與問題咨詢,必要時(shí)可安排復(fù)測(cè)或方案優(yōu)化建議。


通過(guò)上述流程,確保認(rèn)證測(cè)試全過(guò)程透明、高效,幫助客戶快速通過(guò)車規(guī)級(jí)MOSFET AEC-Q101認(rèn)證準(zhǔn)入。


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